产品名称:
|
硅(Si)晶体基片
|
产品简介:
|
化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
|
技术参数:
|
掺杂物质:掺B掺P类型:P N电阻率Ω.cm:10-3 ~ 4010-3 ~ 40EPD (cm-2 ):≤100≤100氧含量( /cm3 ):≤1.8 x1018≤1.8 x1018碳含量( /cm3 ):≤5x1016≤5x1016
|
常规规格:
|
晶体方向:、、± 0.5° 或 特殊的方向;
常规尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm;
表面粗糙度:Ra<10A
可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询!
|
标准包装:
|
1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装
|
Name des Produkts:
Silizium (SI) Kristallsubstrat
Einführung des Produkts:
Das chemische Symbol ist Si, das hauptsächlich zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, Infrarot-optischen Geräten, Solarzellensubstraten und anderen Materialien verwendet wird.
Technische Parameter:
Dopant: Dopant B Dopant P Typ: P n resistivity (Kombibrenner); Cm: 10-3 ~ 4010-3 ~ 40epp (cm-2)~ 40epp (Dopant-B-Dopant P-Typ: P n resistivity
Allgemeine Spezifikationen:
Kristallrichtung: < 111 >, << 100 >, < 110 > > > > […] […]
Abmessungen: dia1 "x 0.30 mm; dia2" x 0,5mm; dia3"x0,5mm;dia4"x0,6mm;
Rauigkeit der Oberfläche: RA < 10A
Ein Si-Blatt, das Hitzeoxidation SiO2-Schicht liefern kann; Si + SiO2 + Ti + Pt-Substrat! Herzlich willkommen!
Standard Verpackung:
Klasse 1000 ultra clean room class 100 ultra clean bag single box oder 25 Stück Steckdose
|