InSb ist ein wichtiger Halbleiter, der hauptsächlich in weit infraroten Photodetektoren, Hall-Geräten und magnetorsistischen Geräten eingesetzt wird.
Methode des Wachstums
Tirafa.
Struktur des Kristalls
Würfel
Konstante des Gitters (nm)
0. 648
Kristallografische Ausrichtung
< 100 >, < 110 >, << 111 > > > > ",005d1866oder spezielle Richtung
Abschluss des Doping
Dopant Element
Rückgängig
Die Doping
Das Doping
Art der Ausführung
N
N
P
Bandlücke (EV)
Null Punkt eins acht
Resistivität (Kombi)
Mobilität (cm2 / (V 183rd; s))
Dichte des Trägers (/cm3)
1~5 215a1014
1~2 deckungsgleich 215; 1015
Dichte (EPD) (/cm2)
<2,215a1;102
Größe
Fahrgestell 934; 2 “ ” Kombi2-2;-Kombiantel; 0.5 Sonderrichtung und -größe können je nach Kundenwunsch angepasst werden
Oberfläche
Einzel-, Doppel-, oder Schneide
Dicke (UM)
Verschiedenheits934; 2 $2 $2,2222mm,0,5mm
TTV (Gesamtdicke
Variation
TIR (insgesamt indiziert)
Lesen)
Bogen
WarpComment
Verpackung
Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 super sauber Zimmer
InSb是一种重要的化合物半导体,主要用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
生长方法
|
提拉法
|
晶体结构
|
立方
|
晶格常数(nm)
|
0. 648
|
晶向
|
<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向
|
掺杂程度
|
|
掺杂元素
|
不掺杂
|
掺Te
|
掺Ge
|
导电类型
|
N
|
N
|
P
|
带隙(eV)
|
0.18
|
电阻率(Ω·cm)
|
|
|
|
迁移率(cm2/(v·s))
|
|
|
|
载流子密度(/cm3)
|
1~5×1014
|
1~2×1015
|
|
位错密度(EPD)(/cm2)
|
<2×102
|
尺寸
|
Φ2″×0.5可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸
|
表面
|
单抛片、双抛片、或切割片
|
厚度(um)
|
Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可定制
|
TTV (Total Thickness
Variation)
|
|
TIR (Total Indicated
Reading)
|
|
Bow
|
|
Warp
|
|
包装
|
100级洁净袋,1000级超净室
|