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제품
카테고리 2
Ge wafer
게시 : 2016-08-24 조회 : 11720

고객의 요구에 따라 가공 설정할 수 있는 각종 규격 사이즈 반도체 급, 태양 에너지 준위, 광학 급 게르마늄 영화.
제품 사이즈 말고, 표준 2 "3" 4 '6 "괜찮다 따라 고객 요구 가공 사용자 정의 온갖 규격 사이즈.
Size: 2 "3" 4 '6 "or on customer'requirements
반짝이는 향해 (100) (111) (110) 또는 고객의 요구에 따라.
Direction: (100) (111) (110) or on customer'requirements
제품의 종류 n-type / p-type / Undope
Type: n-type / p-type / Undope
표면: 연마, 단일 버리다, 더블 던졌다
Surface: lapping, single side polished, 탄자니아 더블 side polished
두께: 150um~20mm
Thickness: 150um ~20mm

典型规格见下表

Semi-conducting Ge Specifications


Growth Method VGF
Dopant n-type: As;   p-type: Ga
Wafer Shape Round (DIA: 2" 4" 6")
Surface Orientation** (100)±0.5°

**Other Orientations maybe available upon request


Dopant As (n-type) Ga (p-type)
Resistivity  (Ω.cm) 0.05-0.25 0.005-0.04
Etch Pitch Density (cm2) ≤ 300 ≤ 300



Wafer Diameter (mm) 50.8±0.3 100±0.3
Thickness (µm) 175±25 175±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 15 ≤ 15
WARP (µm) ≤ 25 ≤ 25
IF* (mm) 17±1 32.5±1
OF (mm) 7±1 18±1
Polish** E/E, P/E, P/G E/E, P/E, P/G
Backside Ra (µm)*** < 0.1 < 0.1

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