Formel: Ga
Gewicht: 69,723
 Zeichen: Die Flüssigkeit war silberweiß, bläulich-weißen Festkörper weichen Metall (orthorhombisch).
 Schmelzpunkt (º C): 29,76
 Siedepunkt (° C, Atmosphärendruck): 2403
Lagerung: In einem sauberen, trockenen, kühlen, Säure-, Alkali-Atmosphäre in der Lagerhalle. Produkte während des Transports sollten regen und Feuchtigkeit, Sonneneinstrahlung zu verhindern. Nicht auf den Kopf und Absturz.
Verwendung: vor allem als Gallium-Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid, Galliumphosphid, und der Dotierungselemente, wie Germanium, Silizium-Halbleiter verwendet. Auch verwendet Gallium-Legierung, wie Gallium Vanadium, Gallium, Lithium, Gallium und Zirkonium. Kann als Supraleiter verwendet werden. Und Wismut, kann Zink, Blei Low-Flux werden. Vor allem für die Herstellung von hochreinem Gallium GaAs, GaN, Gap und andere Verbindungshalbleitermaterialien, supraleitende Materialien, hohe Reinheit Legierung, Reaktorwärmeträger. Auch als Einkristall-Silizium-Einkristall-Germanium-Dotierungselemente verwendet werden. Reinheit von 99,99999% (7N Ga) wird hauptsächlich zur Herstellung von Gallium-Arsenid, Gallium-Phosphid, Gallium-Antimonid, und zum Erzeugen eines Infrarot-LED-Vorrichtungen verwendet. Die Reinheit der 99.999999% (8N Gallium), vor allem für Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) Herstellungs Galliumquelle Gittern Quantentröge, der modernsten Halbleiterbauelementen. Hochreines Gallium-Permanentmagnetmaterialien können auch als Zusatz verwendet werden, wie Legierungen. Zur Herstellung einer Verbindungshalbleitermaterial und eine hohe Reinheit Legierung.