Die Halbleiterchip-Materialien der dritten Generation befinden sich im aufsteigenden Zustand. Im Vergleich zu Siliziumsubstrat hat SiC eine höhere Bandbreite, Leitfähigkeit und andere hervorragende Eigenschaften, so dass sie besser für den Einsatz in Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeit-Feldern geeignet ist.So wie neue Energiefahrzeuge und 5g RF-Geräte.Zu Beginn des Jahres veröffentlichte Xiaomi 65W Gan USB PD schnelles Ladegerät, was die Anwendung des Halbleiters der dritten Generation vorantrieb.
Kunshan, Generalsekretär der dritten Generation der Halbleiter-Industrie-Innovations-strategischen Allianz, einmal sagte den Medien, dass in 2019, die dritte Generation Halbleiter in die schnelle Entwicklung eintreten wird, und 2020 ist eine Schlüsselfensterzeit für die Entwicklung von China s dritten Generation Halbleiter.Automobil, 5g und Consumer Electronics beschleunigen das Wachstum des Marktes, und große Giganten machen Layout im Bereich Siliziumkarbid.Der Autor hat die drei jüngsten Investitionen der Huawei Hubble-Technologie geklärt, die offensichtlich diese Bedeutung hat.
Halbleiterunternehmen von Huawei von 2019 bis 2020
Hubble-Technologie-Investitionen in Siliciumcarbid-Unternehmen: hantiancheng, Shandong Tianyue und tiankeedera
Im Dezember 1, laut Tianyancha App, hat hantiancheng Electronic Technology (Xiamen) Co., Ltd. vor kurzem industriellen und kommerziellen Änderungen unterzogen, indem ein neuer Aktionär, Hubble Technology Investment Co., Ltd., und ihr eingetragenes Kapital von ca. 201 million yuan zu ca. 211 Millionen Yuan ändert.Tianyancha App zeigt, dass hantiancheng Electronic Technology (Xiamen) Co., Ltd. in 2011 gegründet wurde, und ihr gesetzlicher Vertreter ist Jianhui Zhao (Zhao Jianhui). Ihr Geschäftsfeld umfasst Forschung und Entwicklung, Produktion und Vertrieb von Halbleitermaterialien und -ausrüstungen sowie einschlägige technische Beratung und Dienstleistungen sowie den Import und Export verschiedener kommerzieller Produkte und Technologien.Aktionärsinformationen zeigen, dass die Aktionäre des Unternehmens auch China Resources Microelectronics Holding Co., Ltd., longyanxin Sida Technology Co., Ltd.
Laut Statistik sind unter den 22-Unternehmen von Huawei Hubble, Shandong Tianyue und tiankeheda die ersten, die sich auf die dritte Generation Halbleitermaterialien konzentrieren, und hantiancheng electronics ist der dritte Hersteller, der sich auf dieses Gebiet konzentriert.Im August 2019 investierte Huawei Hubble in Shandong Tianyue, ein führendes Siliciumcarbid-Unternehmen, und erhielt 10% Anteile; im Juli 2020 investierte Huawei Hubble in Beijing Tianke Heda, ein Siliciumcarbid-Chip-Hersteller, mit einem Beteiligungsverhältnis von 4.82%.
Laut der offiziellen Website, Han Tiantian Cheng Electronics wurde in Xiamen im März 2011 gegründet. Das Unternehmen stellte die weltweit fortgeschrittene SiC epitaxial Wafer Wachstumsofen und verschiedene importierte High-End-Testgeräte, die von der Firma Aixtron Deutschland hergestellt wurden, und bildete eine komplette SiC epitaxial Wafer Produktionslinie.Am März 9, 2012 begann das Unternehmen, Aufträge für handelsübliche SiC-Halbleiter-Epitaxial-Wafer anzunehmen und offiziell industrialisierte 3-Zoll- und 4-Zoll-SiC-Halbleiter-epitaxiale Wafer zu inländischen und ausländischen Märkten geliefert.Im April 2014 nahm das Unternehmen die Bestellung von handelsüblichen 6-Zoll-SiC-epitaxialen Wafern an und lieferte offiziell gewerbliche 6-Zoll-SiC-epitaxiale Wafer an inländische und ausländische Märkte.
Tianke Heda, ein führendes Unternehmen im chinesischen Halbleitermaterial SiC Chip der dritten Generation, das zuvor von Hubble investiert wurde, plant, im Juli 2020 auf dem Markt für Wissenschafts- und Technologieinnovation-Board gelistet zu werden.Die Einnahmen des Unternehmens bestehen aus drei Teilen: Siliciumcarbid-Chips sind für 48,12%, Edelstein und andere Siliciumcarbide-Produkte für 36,65%, und Siliciumcarbid-Monokristall-Wachstumsofen für 15,23%.Die Wachstumsrate des Unternehmens ist extrem schnell. Von 2017 bis 2019 stiegen die Einnahmen des Unternehmens von 24 Millionen Yuan bis 155 Mio. Yuan, mit einer zweijährigen zusammengesetzten Wachstumsrate von 154%.
Die Aussicht auf die Siliciumcarbid-Industrie und den Vertrieb von Huawei's Industriekette
Vor diesem Zeitpunkt wurde Huawei von den Vereinigten Staaten verboten. Angesichts Huawei's Kernaufgabe Situation, sagte Yu Chengdong, es sei ein Jammer, dass Huawei nicht in der Vergangenheit in den Bereich der Chip-Herstellung beteiligt gewesen. In der Zukunft wird Huawei weiterhin Anstrengungen in Chip-Design und Herstellung, konzentrieren sich auf das Brechen durch Design und Präzisionsfertigung in Physik und Materialwissenschaften.Yu Chengdong sagte auch, dass nun Halbleiter von der zweiten Generation auf die dritte Generation übergegangen sind, in der Hoffnung, dass Huawei in einer neuen Ära führen kann.
Gemäß der großen Skala von Siliciumcarbid Gerät Markt, wird es erwartet, dass der Stromverbrauch von Siliciumcarbid-Geräten wird die von Siliciumcarbid-Geräten in 2027 Mio. übertreffenAuch die Marktnachfrage nach SiC-Substrat wird deutlich steigen.
Die SiC-Industriekette gliedert sich derzeit in drei große Verbindungen: vor dem SiC-Chip und der Epitaxie „ Off 8594; Herstellung von Zwischengeräten (einschließlich des klassischen IC-Designs)“ – „Off-Nr. 859494; Herstellung – „Kombi“ – „Kombi“ – „Kombi“ – „Kombi“ – „Superior SiC-Chip“, „Downstream Industrial Control“, neue Energiefahrzeuge, Photovoltaik-Windkraftanwendungen.
Es wird allgemein angenommen, dass Huawei inländische Halbleiterunternehmen durch Aufträge, Fonds und Technologie unterstützt.Unter Berücksichtigung der bestehenden Lieferkette und der zukunftsgerichteten Technologie kann Hubble den Druck auf die Versorgung in gewissem Umfang verringern und Komplementarität und Synergie mit Huawei's Geschäft herstellen.In Zukunft können diese investierten Unternehmen auch eine gewisse Hilfe in Huawei's Konsumentengeschäft und Automobil-Geschäft Lieferkette bilden.