InP Einzelsystalsubstrat
InP Single Crystal Material ist eines der wichtigsten zusammengesetzten Halbleitermaterialien, das das Schlüsselmaterial in der optischen Faserkommunikationstechnologie ist. Basierend auf InP, Laserdiode (LD), Leuchtdiode (LED) und Photodetektor realisieren die Funktionen von Informationen übertragen, übertragen, verstärken und empfangen in der optischen Faserkommunikation.InP eignet sich auch sehr gut für hochfrequente Geräte, wie z.B. Transistor mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) und heterojunktionaler bipolarer Transistor (HBT).Aufgrund seiner Vorteile wurde InP in vielen High-Tech-Bereichen wie der optischen Faserkommunikation, der Mikrowelle, der Millimeterwelle, der Anti-Strahlungs-Solarzelle, der heterokristallinen Röhre und so weiter weit verbreitet.
Methode des Wachstums
LEC zur Flüssigkeitsdichtung
Struktur des Kristalls
Würfel
Konstante des Gitters (nm)
0. 587
Kristallografische Ausrichtung
< 100 >, < 110 >, << 111 > > > > ",005d1866oder spezielle Richtung
Abschluss des Doping
Leichte, mittlere und schwere Beimischungen
Dopant Element
Rückgängig
S-dotiert
Doping Zn
Die Doping
Art der Ausführung
N
N
P
N
Bandlücke (EV)
ein Punkt drei vier
Resistivität (Kombi)
Mobilität (cm2 / (V 183rd; s))
(3.5-4)(2151;103
(2.0-2.4)(215d1;103
(1.3-1.6)(215a1;103
70-90
Fahrgestell 88052000
Dichte des Trägers (/cm3)
(0.4-2)(Nr.21215; 1016
(0.8-3)(215a1018
(4-6)(4-6)(215; 1018
(0.6-2)(Nr.21215; 1018
107-108
Dichte (EPD) (/cm2)
<5, 215a4a4a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3
3-Ebene 215104
2-Zimmer-215; 103
2-Zimmer-Nr.215104
3-Ebene 215104
Größe
934; 2 €2700,215mm, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino,
Oberfläche
Einzel-, Doppel- oder Schneiden
Dicke (UM)
500, Dickentoleranz + - 10um, anpassbar
TTV (Gesamtdicke
Variation
TIR (insgesamt indiziert)
Lesen)
Bogen
WarpComment
Verpackung
Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 super sauber Zimmer

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磷化铟InP单晶基片

InP单晶材料是最重要的化合物半导体材料之一,是光纤通信技术中的非常关键的材料，基于InP的激光二极管（LD）、发光二极管（LED）和光探测器等器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP同时也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面。由于InP本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等诸多高技术领域有着广泛的应用.