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안티몬 화 인듐 Insb 단결정 기 판본 체
게시 : 2020-06-17 조회 : 4928

Insb 는 중요 한 화합물 반도체 로 원적 외 광 전탐지 기, 호이장치 와 자기 장 애 를 만 드 는 데 사용 된다.
성장 법
추출 법
결정 구조
입방. 세제곱.
결정 격자 상수 (nm)
0. 648
방향.
< 100 >, < 110 >, < 111 > ± 0.5 ± 0.6 포 * 186, 또는 특수 방향
섞 임 정도
요소 가 섞이다.
노 터치
테 를 치다.
Ge 를 잡다.
전도 유형
N.
N.
P.
갭 있 음 (eV)
0.1.
전기 저항 율 (오 메 가 · cm)
이전 율 (cm2 / (v · s)
캐리어 밀도 (/ cm3)
1 ~ 5 × 1014
1 ~ 2 × 1015
비트 밀도 (EP. D) (/ cm2)
< 2 × 102
사이즈
≤ 2 × 0.5 는 고객 의 수요 에 따라 특수 방향 과 사 이 즈 를 맞 출 수 있다.
표면.
싱글 컷, 더 블 컷, 또는 절단 컷
두께 (um)
≤ 2 〃 × 0.5m, 〃 × 0.5mm
TTTV.
베 리 어 트
TIR
리 딩
Bow. Bow.
Warp.
포장 하 다.
100 레벨 클 린 백, 1000 레벨 초 정실

供应锑化铟InSb单晶基片厂家品牌_深圳泛美金属欢迎广大客户来电咨询洽谈交易,18928450898


InSb是一种重要的化合物半导体,主要用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。

生长方法

提拉法

晶体结构

立方

晶格常数(nm)

0. 648

晶向

、、±0.5º、或特殊方向

掺杂程度

掺杂元素

不掺杂

掺Te

掺Ge

导电类型

N

N

P

带隙(eV)

0.18

电阻率(Ω·cm)




迁移率(cm2/(v·s))




载流子密度(/cm3

1~5×1014

1~2×1015


位错密度(EPD)(/cm2

<2×102

尺寸

Φ2″×0.5可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

表面

单抛片、双抛片、或切割片

厚度(um)

Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可定制

TTV (Total Thickness

Variation)


TIR (Total Indicated

Reading)


Bow


Warp


包装

100级洁净袋,1000级超净室

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