磷化铟InP单晶基片
InP单晶材料是最重要的化合物半导体材料之一,是光纤通信技术中的非常关键的材料，基于InP的激光二极管（LD）、发光二极管（LED）和光探测器等器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP同时也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面。由于InP本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等诸多高技术领域有着广泛的应用.
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生长方法
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液封提拉法LEC
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晶体结构
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立方
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晶格常数(nm)
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0. 587
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晶向
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<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向
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掺杂程度
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轻掺、中掺、重掺
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掺杂元素
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不掺杂
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掺S
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掺Zn
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掺Te
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导电类型
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N
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N
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P
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N
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带隙（eV）
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1.34
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电阻率（Ω·cm）
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迁移率(cm2/(v·s))
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(3.5-4)×103
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(2.0-2.4)×103
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(1.3-1.6)×103
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70-90
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≥2000
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载流子密度（/cm3）
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(0.4-2)×1016
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(0.8-3)×1018
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(4-6)×1018
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(0.6-2)×1018
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107-108
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位错密度（EPD）（/cm2）
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<5×104
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3×104
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2×103
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2×104
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3×104
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尺寸
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Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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单抛片、双抛片或切割片
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厚度(um)
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500，厚度公差+-10um，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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单质