砷化铟InAs单晶基片作为衬底，不仅可以生长InAsSb/In－AsPSb、InNAsSb等异质结材料,用来制作波长范围为2～14μm的红外发光器件，还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。红外发光器件和红外激光器在气体监测、低损耗光纤通信等领域有非常好的应用前景。InAs单晶同时具有很高的电子迁移率,也是一种制作Hall器件的理想材料。
|
生长方法
|
液封提拉法LEC
|
|
晶体结构
|
立方
|
|
晶格常数(nm)
|
0.606
|
|
晶向
|
<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向
|
|
掺杂程度
|
|
|
掺杂元素
|
不掺杂
|
掺Sn
|
掺Zn
|
掺S
|
|
导电类型
|
N
|
N
|
P
|
N
|
|
带隙（eV）
|
0.354
|
|
电阻率（Ω·cm）
|
|
|
|
|
|
迁移率(cm2/(v·s))
|
2×104
|
>2000
|
100-300
|
>2000
|
|
载流子密度（/cm3）
|
5×1016
|
(5-20)×1017
|
(1-20)×1017
|
(1-10)×1017
|
|
位错密度（EPD（/cm2）
|
<5×104
|
|
尺寸
|
Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸
|
|
表面
|
单抛片、双抛片或切割片
|
|
厚度(um)
|
500，厚度公差+-10um，可定制
|
|
TTV (Total Thickness
Variation)
|
|
|
TIR (Total Indicated
Reading)
|
|
|
Bow
|
|
|
Warp
|
|
|
包装
|
100级洁净袋，1000级超净室
|
单质