GaAs[1]是重要的化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器[2]、红外探测[3]和太阳能电池等元件。GaAs单晶基片也应用于制备成纳米结构的GaAs结构，如GaAs纳米线阵列[4]、GaAs纳米锥阵列[5]等。
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生长方法
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垂直梯度凝固法(VGF)LEC HB
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晶体结构
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闪锌矿型结构
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晶格常数（nm）
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0.5653
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晶向
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（100）、（111）
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掺杂程度
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掺杂元素
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不掺杂
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掺Zn
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掺Si
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导电类型
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半绝缘
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P
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N
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带隙（eV）
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1.4
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电阻率（Ω·cm）
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迁移率(cm2/(v·s))
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载流子浓度（/cm3）
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>5×1017
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位错密度（EPD）（/cm2）
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<5×105
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尺寸
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2寸3寸4寸6寸可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
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表面
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单抛片、双抛片或切割片
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厚度(um)
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TTV (Total ThicknessVariation)
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TIR (Total IndicatedReading)
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Bow
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Warp
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单质