GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温。

与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有更好的性能。

砷化镓电池与硅光电池的比较

1、光电转化率：

砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。

硅电池的理论效率大概为23%，而单结的砷化镓电池理论效率达到27%，而多结

的砷化镓电池理论效率更超过50%。实际应用中硅的效率在18%左右，砷化镓却能达到40%。

2、耐温性

常规上，砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常

工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。

我司提供空间用电池和地面电站用电池。

1. 空间用：转换效率η≥30%

2.  地面用：转换效率η≥40%