随着5G、电动车等科技加速发展，功率半导体需求随之升温。着眼于第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的发展潜力，环球晶(6488)于7月27日与台湾交通大学正式签订合约，共同合作成立化合物半导体研究中心，携手研发第三代半导体材料包含但不限于6吋~8吋碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，期能快速建立台湾地区的化合物半导体产业链。

环球晶圆母公司中美硅晶荣誉董事长卢明光表示「碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是非常具有发展前景的半导体材料，在下一波产业5G、电动车.....高功率发电、高频率的运用上是最关键的要素」，并特别强调「世界各国都视碳化硅(SiC)为国家战略发展之原料及技术，与国立交通大学成立化合物半导体研究中心，是一个强强结盟的重要起步。」

国立交通大学代理校长陈信宏表示：「国立交通大学引领台湾地区半导体研究之先，例如台湾地区第一片硅晶圆是在交大实验室完成的。交大结合校友力量，协助学校推动尖端研究，期望五至十年能有三至五个领域达到世界第一的目标，进而成就『伟大大学』之愿景。」在本研究中心，交大团队将整合跨尺度学理研究特色，并结合环球晶圆生产制程相关独特技术，整合理论与实务共同开发创新之高产能相关化合物半导体晶圆制造技术，以制造大尺寸、高质量、低缺陷晶圆为目标。

相较于传统的半导体硅材料，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这类宽能隙元件具有优异的热传导率和高速切换能力，可减少运作损耗；出色的性能适合在高温高电流环境下运作，可提供更高的功率和绝佳热传导；其散热性能优越，且高饱和电流适用于快速充电，这些卓越的特性适用在5G通讯、快速充电与超高压产品如电动车领域，深具市场潜力，被视为功率半导体元件的明日之星。

环球晶圆长期布局化合物半导体材料，具有优秀的研发团队与关键的专利技术；国立交通大学深耕半导体尖端研究已久，拥有丰沛技术能量与优秀研发人才，透过共同合作建立化合物半导体研究中心，可藉由产学合作整合并放大研究能量，快速将研发成果导入产业应用，提高台湾地区化合物半导体产业链能见度，并藉此建立未来领先优势。