供应磷化铟InP单晶基片 厂家品牌_深圳泛美金属 欢迎广大客户来电咨询洽谈交易，18928450898
磷化铟InP单晶基片
InP单晶材料是最重要的化合物半导体材料之一,是光纤通信技术中的非常关键的材料，基于InP的激光二极管（LD）、发光二极管（LED）和光探测器等器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP同时也非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）等方面。由于InP本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等诸多高技术领域有着广泛的应用.
|
生长方法
|
液封提拉法LEC
|
|
晶体结构
|
立方
|
|
晶格常数(nm)
|
0. 587
|
|
晶向
|
、、±0.5º、或特殊方向
|
|
掺杂程度
|
轻掺、中掺、重掺
|
|
掺杂元素
|
不掺杂
|
掺S
|
掺Zn
|
掺Te
|
|
导电类型
|
N
|
N
|
P
|
N
|
|
带隙（eV）
|
1.34
|
|
电阻率（Ω·cm）
|
|
|
|
|
|
|
迁移率(cm2/(v·s))
|
(3.5-4)×103
|
(2.0-2.4)×103
|
(1.3-1.6)×103
|
70-90
|
≥2000
|
|
载流子密度（/cm3）
|
(0.4-2)×1016
|
(0.8-3)×1018
|
(4-6)×1018
|
(0.6-2)×1018
|
107-108
|
|
位错密度（EPD）（/cm2）
|
<5×104
|
3×104
|
2×103
|
2×104
|
3×104
|
|
尺寸
|
Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸
|
|
表面
|
单抛片、双抛片或切割片
|
|
厚度(um)
|
500，厚度公差+-10um，可定制
|
|
TTV (Total Thickness
Variation)
|
|
|
TIR (Total Indicated
Reading)
|
|
|
Bow
|
|
|
Warp
|
|
|
包装
|
100级洁净袋，1000级超净室
|
行业动态