供应砷化铟InAs单晶基片 厂家品牌_深圳泛美金属 欢迎广大客户来电咨询洽谈交易，18928450898
InAs单晶作为衬底，不仅可以生长InAsSb/In－AsPSb、InNAsSb等异质结材料,用来制作波长范围为2～14μm的红外发光器件，还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。红外发光器件和红外激光器在气体监测、低损耗光纤通信等领域有非常好的应用前景。InAs单晶同时具有很高的电子迁移率,也是一种制作Hall器件的理想材料。
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生长方法
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液封提拉法LEC
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晶体结构
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立方
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晶格常数(nm)
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0.606
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晶向
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<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向
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掺杂程度
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掺杂元素
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不掺杂
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掺Sn
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掺Zn
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掺S
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导电类型
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N
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N
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P
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N
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带隙（eV）
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0.354
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电阻率（Ω·cm）
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迁移率(cm2/(v·s))
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2×104
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>2000
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100-300
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>2000
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载流子密度（/cm3）
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5×1016
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(5-20)×1017
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(1-20)×1017
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(1-10)×1017
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位错密度（EPD（/cm2）
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<5×104
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尺寸
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Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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单抛片、双抛片或切割片
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厚度(um)
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500，厚度公差+-10um，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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行业动态