供应锑化镓GaSb单晶基片 厂家品牌_深圳泛美金属,欢迎广大客户来电咨询洽谈交易,18928450898
	
	GaAs[1]是重要的化合物半导体材料,用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器[2]、红外探测[3]和太阳能电池等元件。GaAs单晶基片也应用于制备成纳米结构的GaAs结构,如GaAs纳米线阵列[4]、GaAs纳米锥阵列[5]等。
	 
	
		
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					生长方法
				 
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					垂直梯度凝固法(VGF)LEC HB
				 
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					晶体结构
				 
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					闪锌矿型结构
				 
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					晶格常数(nm)
				 
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					0.5653
				 
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					晶向
				 
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					(100)、(111)
				 
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					掺杂程度
				 
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					掺杂元素
				 
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					不掺杂
				 
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					掺Zn
				 
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					掺Si
				 
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					导电类型
				 
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					半绝缘
				 
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					P
				 
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					N
				 
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					带隙(eV)
				 
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					1.4
				 
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					电阻率(Ω·cm)
				 
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					迁移率(cm2/(v·s))
				 
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					载流子浓度(/cm3)
				 
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					>5×1017 
				 
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					位错密度(EPD)(/cm2)
				 
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					<5×105 
				 
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					尺寸
				 
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					2寸3寸4寸6寸可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底
				 
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					表面
				 
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					单抛片、双抛片或切割片
				 
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					厚度(um)
				 
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					TTV (Total ThicknessVariation)
				 
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					TIR (Total IndicatedReading)
				 
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					Bow
				 
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					Warp
				 
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			[1]GaAs的使用注意事项:GaAs单晶基片在用的过程中除了清洗以外,还需要做钝化处理的,因为表面的Ga和As都非常的不稳定,一般做硫钝化处理。