第一布里渊区为截角八面体，导带极小值位于布里渊区中心，电子有效质量为0.077m，m为电子惯性质量；价带极大值位于布里渊区中心，空穴有效质量约0.8m，是直接带隙半导体。室温时，禁带宽度为1.34eV。较纯晶体电子和空穴迁移率分别为0.46m2/(V·S)和1.5×10-2m2/(V·S)。掺入II族、IV族或Ⅵ族原子可制成P型或n型材料。本征载流子浓度1.0×1020/m3，本征电阻率8×10-4Ω·m。590nm光的折射率为3.45。其熔点1070℃，可用区域熔炼或直拉法制备单晶；用扩散、离子注入、外延、蒸发等方法制备p-n结、异质结、肖特基结；用分子束外延、金属有机物化学气相淀积方法可制备超晶格材料。是制备长波长(1.3～1.6μm)InGaAsP激光器的衬底材料。

InP已经成为非常重要的半导体材料之一，主要应用于光电子技术和微波技术领域，而另一大有发展前途的应用领域是太阳能动力技术。

磷化铟单晶的制备操作步骤包括如下两道：

(1)合成磷化铟多晶。合成操作是让高纯的磷蒸气与熔融高纯铟直接发生作用，多采用水平定向结晶法和区域熔炼法。

(2)制备掺杂磷化铟单晶。一般采用高压溶液提拉法，是将盛有磷化铟多晶的石英坩埚置于高压设备内进行，用电阻丝或高频加热，惰性气体保护(压力3×106Pa)下让晶体生长。为了提高InP单晶质量，降低位错密度，可通过掺杂(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以减少位错。掺杂是往多晶中放人中间掺人物，使之在熔融和结晶过程中得予扩散实现。